Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...

SIHD12N50E, N-MOSFET, 500V, 10.5A, DPAK, VISHAY

Denumire Produs: SIHD12N50E, VISHAY

COD: 81383


Preț: 13,47 RON

(Prețul include TVA)
In stoc

SIHD12N50E, N-MOSFET, 500V, 10.5A, VISHAY

Manufacturer: Vishay 
Product Category: MOSFET 
RoHS:  Details  
Technology: Si 
Mounting Style: SMD/SMT 
Package/Case: TO-252-3 
Number of Channels: 1 Channel 
Transistor Polarity: N-Channel 
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V 
Id - Continuous Drain Current: 10.5 A 
Rds On - Drain-Source Resistance: 380 mOhms 
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V 
Vgs - Gate-Source Voltage: 30 V 
Qg - Gate Charge: 25 nC 
Minimum Operating Temperature: - 55 C 
Maximum Operating Temperature: + 150 C 
Configuration: Single 
Pd - Power Dissipation: 114 W 
Channel Mode: Enhancement 
Packaging: Bulk 
Series: E  
Brand: Vishay / Siliconix  
Fall Time: 12 ns  
Rise Time: 16 ns  
 
Typical Turn-Off Delay Time: 29 ns  
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns
 
 
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

Lichidare Stoc