Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...

SPP18P06P, P-MOSFET, 60V, 18.7A, to220, INFINEON

Denumire Produs: SPP18P06P, INFINEON

COD: 80358


Preț: 9,44 RON

(Prețul include TVA)
In stoc
Manufacturer: Infineon 
Product Category: MOSFET 
RoHS:  Details  
Technology: Si 
Mounting Style: Through Hole 
Package/Case: TO-220-3 
Number of Channels: 1 Channel 
Transistor Polarity: P-Channel 
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 60 V 
Id - Continuous Drain Current: - 18.7 A 
Rds On - Drain-Source Resistance: 130 mOhms 
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V 
Qg - Gate Charge: - 21 nC 
Minimum Operating Temperature: - 55 C 
Maximum Operating Temperature: + 175 C 
Configuration: Single 
Pd - Power Dissipation: 81.1 W 
Tradename: SIPMOS 
Packaging: Tube 
Height: 15.65 mm  
Length: 10 mm  
Series: SPP18P06  
Transistor Type: 1 P-Channel  
Width: 4.4 mm  
Brand: Infineon Technologies  
Fall Time: 11 ns  
Product Type: MOSFET  
Rise Time: 5.8 nS  
 
Subcategory: MOSFETs  
Typical Turn-Off Delay Time: 25 nS  
Part # Aliases: SP000446906 SPP18P06PHXKSA1 SPP18P6PHXK
 
 
 
 
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

Lichidare Stoc