Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...
Poza IXFH52N30Q

IXFH52N30P, N-MOSFET, 52A, 300V, IXYS

Denumire Produs: IXFH52N30P, IXYS


Preț: 49,90 RON

(Prețul include TVA)
Stoc Limitat
Manufacturer: IXYS 
Product Category: MOSFET 
RoHS:  Details  
Technology: Si 
Mounting Style: Through Hole 
Package/Case: TO-247-3 
Number of Channels: 1 Channel 
Transistor Polarity: N-Channel 
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V 
Id - Continuous Drain Current: 52 A 
Rds On - Drain-Source Resistance: 73 mOhms 
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V 
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V 
Qg - Gate Charge: 110 nC 
Minimum Operating Temperature: - 55 C 
Maximum Operating Temperature: + 150 C 
Configuration: Single 
Pd - Power Dissipation: 400 W 
Channel Mode: Enhancement 
Tradename: Polar, HiPerFET 
Packaging: Tube 
Height: 21.46 mm  
Length: 16.26 mm  
Series: IXFH52N30  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Type: Polar Power MOSFETs HiPerFET  
Width: 5.3 mm  
Brand: IXYS  
Forward Transconductance - Min: 20 S  
Fall Time: 20 ns
 
 

 


 

ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

Lichidare Stoc