Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...

IXFH18N100Q3, N-MOSFET; 1kV; 18A; 830W; TO247-3, 830W, IXYS

Denumire Produs: IXFH18N100Q3, IXYS

COD: 97114


Preț: 133,27 RON

(Prețul include TVA)
Stoc Limitat
      
Channel Type:     N Channel
Transistor Polarity:     N Channel
Continuous Drain Current Id:     18A
Drain Source Voltage Vds:     1kV
Drain Source On State Resistance:     0.66ohm
On Resistance Rds(on):     0.66ohm
Rds(on) Test Voltage:     10V
Transistor Mounting:     Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max:     6.5V
Power Dissipation Pd:     830W
Transistor Case Style:     TO-247
Power Dissipation:     830W
No. of Pins:     3Pins
Operating Temperature Max:     150°C 
 
 
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

Lichidare Stoc